| 品牌 | 昊量光電 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池 |
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QUBIG諧振型電光相位調(diào)制器
一，諧振型電光調(diào)制器簡介
諧振型電光調(diào)制器（R-EOM）依托山西大學量子光學與光量子器件重點實驗室科研技術(shù)進行成果轉(zhuǎn)化。在抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制技術(shù)基礎(chǔ)上，自主研發(fā)了諧振型電光相位調(diào)制器，可以有效降低半波電壓、提高調(diào)制深度以及抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制，提高系統(tǒng)鎖定穩(wěn)定性等（該研究成果被德國Qubig公司在其上引用）。該調(diào)制器廣泛應(yīng)用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子鐘、時頻傳輸?shù)阮I(lǐng)域。
圖1 德國Qubig公司引用山西大學研究成果
二，QUBIG諧振型電光相位調(diào)制器性能參數(shù)
諧振頻率f0 1) | 0.1 MHz-100 MHz |
典型帶寬Δν | 0.014*f0 |
Q | 70 |
max大射頻驅(qū)動功率 | 2 W |
電光晶體 | 鈮酸鋰 |
通光孔徑 | ф3 mm |
使用波長范圍 | 360 nm-2μm |
損傷閾值 | 2 W/mm2 |
Surface Quality | ≤ 20-10 |
Flatness | ≤ λ/8@633nm |
wavefront distortion | ≤ λ/6@633nm |
工作溫度范圍 | -20-80℃ |
1)室溫24.5℃下測試數(shù)據(jù)
三，諧振型電光相位調(diào)制器典型外觀尺寸
圖2 典型外觀尺寸
備注：上圖為典型外觀尺寸，可定制外觀尺寸、螺紋大小、位置及溫控套件，溫控套件需另配。
四，測試方法及結(jié)果：zz1 諧振頻率測量方法及典型結(jié)果
R-EOM諧振性能測試裝置圖如圖3所示。將R-EOM的輸入端接入網(wǎng)絡(luò)阻抗分析儀，測量R-EOM對驅(qū)動信號反射特性。
實驗結(jié)果如圖4所示，其中驅(qū)動反射率在5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz處達到很低，佳諧振頻率即為5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz，此時能量轉(zhuǎn)化達到佳。由于實際使用信號源內(nèi)部時鐘不同，可在設(shè)定頻點附近尋找實際佳調(diào)制頻率。
圖3 R-EOM調(diào)制器諧振性能測試裝置圖
2.調(diào)制深度測試方法及典型結(jié)果
調(diào)制深度隨驅(qū)動電壓測試裝置圖，如圖5所示。特定線偏振激光經(jīng)過R-EOM調(diào)制后，入射到一個光學腔中，利用Keysight 33600A或其他信號源為R-EOM提供驅(qū)動，通過PD探測腔透射信號主模式及以及邊帶模式大小及比例，根據(jù)貝塞爾函數(shù)計算調(diào)制深度。需要說明的是，在同等情況下，激光波長越短調(diào)制深度越高，我們是采用852 nm激光進行測試，如用633 nm，則所需驅(qū)動更低。
Pro版本R-EOM的調(diào)制深度測試結(jié)果如下圖所示，諧振頻率為5.0 MHz的R-EOM達到調(diào)制深度1.435時所需2.15 Vp驅(qū)動
五， 激光偏振要求
基于單端楔角晶體的調(diào)制器，其激光入射方向及偏振要求如圖8所示，SMA接頭朝上，面朝logo，則激光從左端入射，出射光向右前方偏折，此時入射激光偏振方向為水平線偏振光（P偏振/H偏振）；若logo面朝上放置，出射激光向上偏折，此時入射激光需為垂直線偏振激光（S偏振/V偏振）。
基于雙端平行晶體的調(diào)制器，對激光入射方向無要求，但入射激光偏振同楔角晶體調(diào)制器一致。
圖8 基于單端楔角晶體調(diào)制器的激光入射方向及偏振要求
六，不同諧振頻率下達到1rad調(diào)制深度所需驅(qū)動電壓（852nm激光測試）
PS：50Ω阻抗測試電壓峰值
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