| 品牌 | 昊量光電 | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩(wěn)定功能的5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)
5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)（DAPD：Discrete Amplification photon detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩(wěn)定功能。DAPD 1550系列5x5近紅外光電探測器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng)，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array，專為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計。DAPD NIR 5x5 Array探測器利用了突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來放大低電平電信號。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時間快于0.6ns）相結(jié)合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子，并優(yōu)化極弱光水平的檢測。
離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝，其中包括一個低功率兩級熱電冷卻器（TEC）和一個熱敏電阻。該包裝允許DAPD探測器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，同時使1550系列5x5探測器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度。
近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點(diǎn)：
5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內(nèi)工作
設(shè)計用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度
針對0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測的定制設(shè)計，具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率
NIR InGaAs光子探測器陣列具有好的的偏置電壓穩(wěn)定性
每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進(jìn)行跨阻抗匹配
低噪聲因子
NIR陣列式光電探測器主要應(yīng)用：
1550系列5x5近紅外光電探測器系列設(shè)計用于激光雷達(dá)系統(tǒng)、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測應(yīng)用。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進(jìn)行了優(yōu)化。25個探測器中的每個探測器都分別連接到封裝中的專用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個像素中的任何一個提供了多個級別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個寬面積探測器。
NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計功能靈活性，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大。陣列設(shè)計為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運(yùn)行，以連續(xù)模式運(yùn)行，進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性，并提供了許多選項(xiàng)來將DAPD探測器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成。
近紅外探測器陣列的規(guī)格：
注：下表的數(shù)據(jù)規(guī)格均是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時得出的
參數(shù) | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
有效區(qū)域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
有效區(qū)域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
像素數(shù) | 25 | - |
光子檢測效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
光譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm |
單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
過量噪聲系數(shù) | 1.05 | - |
暗計數(shù)率（單像素） | 4 | MHZ |
工作偏置 | 50-70 | V |
上升時間（10%- 90%） | 600 | ps |
單放大通道恢復(fù)時間（-35℃時） | 50 | ns |
絕對額定值 | ||
損傷閾值 | 0.5 | nJ |
工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測效率包括后脈沖。
（2）靈敏度的工作偏置Vop在出廠前測試后提供。
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